薄膜鉑熱電阻,WZP-1212U

1．              測溫范圍、允差

2.熱響應時(shí)間

   在溫度出現階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應時(shí)間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，zui大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫度系數（α）與標稱(chēng)值的偏差

5.絕緣電阻

     當周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一、         概述

      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著(zhù)在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調阻制成，*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標準。

二、         技術(shù)特點(diǎn)

1．              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。

2．              鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3．              薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。

4．              引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5．              規格：

6．              精度：